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400-677-0098
热解氮化硼化学气相生长炉
热解氮化硼化学气相生长炉
产品描述:
主要用于半导体领域氮化硼的化学气相涂层或生长。
应用范围:
OLED坩埚、PBN板材/环舟、VGF坩埚、LEC坩埚等。产品纯度≥99.999%/99.9999%。

热解氮化硼化学气相生长炉技术特征

采用先进的【de】进控制技术,能精密控制BCl3/NH3的流量【liàng】和压力,炉膛内沉积气流稳定,压力波动小;

多通道工艺气路,配合旋转料台,无沉积死角;

多级尾气处理方式系统,能高【gāo】效处理方式腐蚀性【xìng】尾气、固体副产物,环境友好;

可选配最新设计的防腐蚀真空机组,持续工作时间段长,维修率低;

适于工艺气氛:真空/H2/N2/Ar/BCl3/NH3


热解氮化硼化学气相生长炉产品规格

参数\型号VCVD-0305-BNVCVD-0608-BNVCVD-0612-BNVCVD-0812-BNVCVD-1015-BNVCVD-1218-BNVCVD-1315-BNVCVD-1520-BN
工作区尺寸 φ×H(mm)300×500600×800600×1200800×12001000×15001200×18001300×15001500×2000
最高温度(℃)2000
温度均匀性(℃)±5~±20
极限真空度(Pa)1-100
压升率(Pa/h)0.67

以上参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协【xié】议为准。

热解氮化硼化学气相生长炉配置选择

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